Эквивалентная схема транзистора | Блог финансиста любителя

Календарь

Январь 2018
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
« Дек    
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031  

Последние комментарии

Облако меток

Администрирование

  • 05Ноя


     || 

    Эквивалентная схема транзистора

    Таким образом, ур-ниям (5.1), если рассматривать транзистор как четырехполюсник, соответствует матрица. Эквивалентная схема транзистора для переменного тока показана на рис. 5.26. Она получается из полной эквивалентной схемы четырехполюсника, если в ней принять. Матрице проводимостей транзистора с общим истоком соответствует граф проводимостей, изображенный на рис. 5.3а. Как указывалось ранее, взаимные проводимости в графе должны иметь знаки, обратные их знакам в матрице. В самом общем случае, когда способ включения транзистора как активного трехполюсника еще не определен, его можно характеризовать плавающим графом проводимостей. Для полевого транзистора он существенно упрощается, так как в данном случае. Получающийся при этом плавающий граф проводимостей полевого транзистора показан на рис. 5.36. Использование этого графа в практических расчетах показывает, что учет ветви столь мало влияет на результат, что ею в большинстве случаев в графе можно пренебречь. Поэтому на рис. 5.36 эта ветвь показана пунктирной линией.

    Из графа рис. 5.36 можно получить граф проводимостей и параметры полевого транзистора для любого способа его включения в схемы: с общим (заземленным) истоком, с общим стоком и с общим затвором. При этом следует учитывать, что заземление какого-либо узла графа означает исключение из него этого узла со всеми входящими в него и исходящими из него ветвями. Образующиеся при таких включениях транзистора графы показаны на рис. 5.3в.

    Для оценки свойств четырехполюсника необходимо знать его параметры. Статические характеристики полевых транзисторов снимаются при фиксированных значениях (сквозные характеристики) или (выходные характеристики), т. е. в условиях короткого замыкания на выходе или входе для переменного тока. Это позволяет найти с их помощью У-параметры транзистора. Найдем их, используя запись уравнений четырехполюсника в системе У-параметров. Заменяя в (3.1) переменные токи и напряжения соответствующими малыми приращениями постоянных напряжений и токов около рабочей точки транзистора и учитывая, что на низких частотах У-параметры характеризуются. Соответствующее графическое определение параметров для рабочей точки иллюстрируется рис. 5.1а.

    Направления приращений токов и напряжений соответствуют тем, которые ранее приняты за положительные. Как отмечалось выше, в полевых транзисторах, а следовательно. Это приводит к тому, что для них. Параметр характеризует крутизну сквозной характеристики. В ламповой технике этот параметр обозначают через. Имеет смысл и для полевых транзисторов, очень близких по своим параметрам к электронным лампам, сохранить это обозначение. Параметр характеризует крутизну выходной характеристики, определяя проводимость транзистора. Как и в ламповой технике, примем для него обозначение внутреннее сопротивление транзистора.

    Related posts:

    1. Создание прерывающих программ

Комментарии закрыты.